无保护功能专用IGBT驱动核，可适用于两电平，T型三电平，NPC I型三电平等多种拓扑。驱动能力强大，可实现单路 1W (Ta=85°C) 的驱动功率。

无保护功能专用IGBT驱动核，可适用于两电平，T型三电平，NPC I型三电平等多种拓扑。驱动能力强大，可实现单路 1W (Ta=85°C) 的驱动功率。

无保护功能专用IGBT驱动核，可适用于两电平，T型三电平，NPC I型三电平等多种拓扑。驱动能力强大，可实现单路 1W (Ta=85°C) 的驱动功率。

双通道驱动核，支持最高 1700V的IGBT模块

双通道驱动核，支持最高 1700V的IGBT模块

双通道驱动核，支持最高 1700V的IGBT模块

双通道驱动核，支持最高3300V的IGBT模块

双通道SiC/IGBT 栅极驱动核，支持最高 3300V 的 SiC模块。整体架构由一块绝缘主控板和多组模块适配栅极驱动板单元组成，之间通过一组线缆连接，可灵活匹配1~4个SiC/GBT模块，适用InfineonXHP2，MitsubishiLV100，Hitachi Linpak 等封装多并联，主要应用于光伏、风电、轨交等领域。

双通道即插即用驱动器，电口，针对 EconoDual 封装，支持最高1700V的IGBT模块

双通道即插即用驱动器，光口，针对 EconoDual 封装，支持最高1700V的IGBT模块。