ME300D是Firstack总结10多年IGBT/SiC MOSFET应用经验开发的功率半导体动态参数测试系统，并经历了ME100D，ME200D，ME300D三代产品迭代，致力于帮助客户进行功率半导体开发测试验证，功率半导体应用测试验证。ME300D具备高准确度，高效率，高智能化特点，测试电压最高可达6000V，电流10000A。
测试范围：
最大电压2000V/6000V（可选） 最大电流10000A（单双脉冲） 短路电流12000A
最大电压2000V/6000V（可选）
最大电流10000A（单双脉冲）
短路电流12000A
测试项目：
基本项目：单脉冲、双脉冲、短路（SCSOA） 选配项目：运行边界（RBSOA）、并联均流特性测试、模块对比、窄脉冲、回路杂感、QG
选配项目：运行边界（RBSOA）、并联均流特性测试、模块对比、窄脉冲、回路杂感、QG
测试对象：
IGBT SiC MOSFET Power Stack
IGBT
SiC MOSFET
Power Stack
探头相位延时校准（自带专利校准技术） 一键报告自生成 一次完成三相6管测试（选配工装）
探头相位延时校准（自带专利校准技术）
一键报告自生成
一次完成三相6管测试（选配工装）
DC20-6000V ±（1%FS+3V），50-10000A±（2%+2A）；
短路电流最大12000A