SiC动态偏压可靠性测试设备

ME100DHTXB——能够在同一系统下选配DGB/DRB老化柜,实现DHTGBDHTRBDHTGB+DHTRB三种功能,兼容HTGBHTRB功能。开关频率可达500kHz,DGB dVGS/dt1V/nsDRB dVDS/dt超80V/ns,超过AQG324标准要求。同时,可以实现不同条件,不同封装器件的同步老化测试,并监测不同运行条件下的参数(IGSSIDSSVthRdson)变化

产品简介

一机多用

同一系统,实现DHTGBDHTRBDHTGB+DHTRB一体三种功能

同时可兼容HTGBHTRB功能

使用灵活

每个抽屉独立,匹配独立电源,不同抽屉可实现不同条件,不同封装器件同步老化

老化条件,检测频次,判断标准,测试项目,测试方法可编程

大容量

最多可配4个老化柜体,一个柜体可内置5个老化抽屉

每个抽屉器件数:TO247 24工位,HPD 8工位,DCM 20工位

高性价比

用户根据需求任意选配DHTGB/DHTRB

增加不同封装器件老化,新增对应抽屉即可,无需再次购买整个设备

关键数据总览

1DGB实测(基于英飞凌IMW120R020M1器件/ciss 3460pF


 

                              du/dt=1V/ns,无过冲                                                                  频率范围:0~500 kHz   精度:2%FS±0.2%




2DRB实测(基于英飞凌IMW120R020M1器件/ciss 3460pF


               

                               du/dt=64V/ns过冲 1%                                                                   频率范围:0~100㎑   精度:1%FS±0.2


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  • SiC动态偏压可靠性测试设备产品说明书