简体中文第一步：先看 “生存底线”—— 基础功率参数
IGBT 能不能在电路里 “活下来”，全靠这几个参数打底，选错了直接炸管！
1. 集电极 - 发射极击穿电压VCES
VGE=0V时，IGBT 能承受的最大电压（类似 “耐压天花板”）。
必看细节：规格书里会标“VCES@Tvj=-40℃”和“VCES@Tvj=150℃”，高温下耐压可能会略降，实际选型时必须满足。
2. 集电极连续直流电流 ICDC
特定温度(Tvjmax=150℃，Tvjmax是模块结温上限)下，IGBT能长期通过的电流（类似 “持续载流能力”）。
3. 集电极重复峰值电流 ICRM
IGBT 能够反复承受的集电极最大瞬时电流值。它是 IGBT“短时间内反复发力的上限”—— 比正常持续工作的电流（集电极连续直流电流）大，但每次 “发力” 的时间必须很短（比如规格书里标注的 1ms测试条件）。
4. 饱和压降 VCE sat
IGBT 饱和导通时的管压降，直接决定导通损耗（损耗 = IC× VCE sat），注意这里标了3个结温，饱和导通压降与结温相关。
第二步：算算 “效率账”—— 损耗参数
IGBT 的 “干活效率”全靠开关特性，高频场景（如逆变器、UPS）尤其要盯紧这部分，直接影响整机功耗。
1. 开通损耗Eon&关断损耗 Eoff&反向恢复损耗Erec
开通损耗（Eon）、关断损耗（Eoff）：高频变频器（如开关频率 > 10kHz）中，开关损耗占主导，需选择开关损耗小的模块以降低总损耗和散热压力。
反向恢复损耗（Erec）：由模块内置续流二极管（FWD）产生，在电机驱动等感性负载中，续流二极管频繁工作，Erec小的模块可减少发热并降低 EMI。
2. 续流二极管参数（带反并联二极管的模块必看）
如果你的IGBT模块自带续流二极管（比如用于电机驱动、光伏逆变器），这两个参数别漏了：
反向重复峰值电压VRRM：续流二极管在额定工作条件下，能够重复承受的最大反向电压（不击穿），必须≥母线电压（2电平）+尖峰电压（比如380V母线选600V二极管）；
正向电压VF：二极管导通时的正向电压降（通常在额定正向电流下测试）。VF越小，续流时的损耗越低（尤其高频续流场景）。
第三步：盯紧 “温度红线”—— 热特性参数
IGBT 是“怕热”的器件，结温超过额定值，寿命会断崖式下降，甚至直接烧毁。
1. 最高结温 Tj (max)：二极管芯片的最高允许工作温度，超过此温度会导致半导体材料性能劣化，甚至永久损坏。
硬规矩：绝大多数 IGBT 的 Tj (max) 是 150℃（部分车规级 175℃），实际工作时必须控制在 120℃以内（留 30℃裕量，延长寿命）
2. 结壳热阻RthJC：芯片的 PN 结（Junction，发热核心）传导到模块外壳（Case）过程中所受阻碍程度的物理量。
作用：计算结温的“桥梁”，公式：Tj =TC（壳温）+损耗（功率）×RthJC
比如损耗50W，RthJC=0.5℃/W，壳温 60℃，则Tj =60+50×0.5=85℃<120℃（安全）。
注意：不同封装的RthJC差异大，选封装时必须结合散热方案算热阻。
避坑指南：这些 “隐藏条件” 别忽略！
1. 参数是 “有条件的”。比如IC的测试条件是“TC=25℃，正弦半波”，实际散热差时，电流必须降额（比如壳温 80℃，电流可能只能用到额定值的 70%）；
2. 短路耐受时间。IGBT 能扛住短路的最长时间（比如 10μs），驱动保护电路的响应时间必须小于这个值，否则有可能直接炸管；
3. 栅极-发射极电压范围 VGES：一般是 - 20V~+20V，超出范围可能击穿栅极，驱动电路必须稳压。
IGBT驱动选型小贴士：
所需参数：
栅极电荷QG，开关频率f，驱动全压（正压+负压绝对值）ΔV。
第一步：找到模块集电极-发射极击穿电压VCES
第二步：查模块栅极电荷QG
第三步：查驱动全压（正压+负压绝对值）ΔV。打开《飞仕得驱动产品手册》，每个驱动产品有以下关键参数表，门极电压对应驱动全压（正压+负压绝对值）。
第四步：计算驱动功率
根据公式P=f*QG*ΔV，计算驱动功率。
比如f=1k，QG=28uC，ΔV=30V（一般不会大于30V）
代入，得到P=1k*28uC*30V=0.84W
第五步：查阅《飞仕得驱动产品手册》选型
找到单路驱动功率（对应驱动功率P）、绝缘电压（对应模块集电极-发射极击穿电压VCES），结合模块封装、模组结构选型
